台积电进军氮化镓市场挑战德仪恩智浦快充霸主地位_开云官方网站

晶圆龙头台积电先进设备制程技术迈进一大步，寄予厚望慢电池源管理IC市场潜力，协同合作伙伴Dialog半导体，将于明年第1季发售首颗氮化镓（GaN）手机慢差使芯片，挑战目前慢差使芯片龙头德仪（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。　　喧腾已久氮化镓制程，台积电再一宣告迈入氮化镓先进设备制程，为合作客户德商Dialog量身打造出，使用6寸、0.5微米、650V矽上氮化镓（GaN-On-Silicon）制程技术，生产首颗氮化镓手机慢差使芯片，预计在明年第1季生产量，该芯片不具备体积增大、效能提升、电池时间减为等优势，限于于手机及平板等移动慢差使，将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。

　　智能手机配有慢差使已是目前各大国际品牌手机厂不可或缺功能，涉及电源管理IC解决方案的国际芯片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早就补巴比涉及电源管理IC方案，发售芯片多以氮化镓制程生产，此次，台积电与戴格乐合作，除了挑战霸主地位，更加展现出台积电在氮化镓制程成熟技术，向涉及电源管理IC厂客户旁观。

本文来源：开云官方网站-www.longjiaxiu.com